19 октября, 2016 
admin Кoмпaния Samsung сeгoдня oбъявилa o нaчaлe мaссoвoгo прoизвoдствa «систeм нa чипе» по 10-нанометровой технологии FinFET. Утверждается, что это первые подобные изделия в отрасли.
Отмечается, что производственный процесс предусматривает использование транзисторов с передовой 3D-структурой. Переход от 14-нанометровой технологии к нормам 10 нанометров позволил на 40 процентов снизить энергопотребление.
По сравнению с 14-нанометровой методикой возможно увеличение выпуска микрочипов на 30 процентов в расчёте на одну кремниевую пластину.
Кроме того, внедрение 10-нанометровой технологии позволит повысить быстродействие процессоров. В частности, говорится у возможности увеличения производительности на 27 процентов по сравнению с 14-нанометровыми решениями.
Ранее сообщалось, что именно Samsung будет производить по 10-нанометровой технологии процессоры Snapdragon 830 разработки Qualcomm. Этот чип будет наделён ядрами Kryo 200 и мощным графическим контроллером Adreno 540. Встроенный модем X16 LTE обеспечит максимальную скорость в 980 Мбит/с при загрузке данных. Говорится о поддержке памяти LPDDR4X.
Samsung отмечает, что первые мобильные устройства на основе процессоров, произведённых по 10-нанометровой технологии FinFET, появятся на рынке уже в начале следующего года. Ожидается, что изделия Snapdragon 830 станут «сердцем» флагманских смартфонов Samsung следующего поколения.
По всей видимости, в перспективе новая производственная методика будет использоваться и при выпуске собственных мобильных процессоров Samsung — чипов семейства Exynos.
Опубликовано в