Samsung выпускает первые в отрасли микросхемы памяти LPDDR4 DRAM объемом 8 ГБ

Кoмпaния Samsung Electronics aнoнсирoвaлa выпуск пeрвoгo в oтрaсли мoбильнoгo мoдуля пaмяти типa LPDDR4, кoтoрый имeeт ёмкость 8 Гбайт. В одном корпусе инженеры Samsung сумели разместить четыре 16-Гбит чипа, использующих передовую производственную технологию 10-нм класса. Новинка нацелена на использование в различных приложениях с высокими требованиями к подсистеме памяти, например, просмотр Ultra HD-видео на мобильных устройствах с большими экранами.

 

По мнению исполнительного вице-президента Samsung по продажам и маркетингу памяти Джу Сан Чоя (Joo Sun Choi), представленная память найдёт применение во флагманских аппаратах с поддержкой VR-технологий, 4K-видео и двумя камерами. 8-Гбайт модуль способен обеспечить производительность до 4266 Мбит/с на контакт, что в два раза выше по сравнению с типичными модулями DDR4-памяти для настольных ПК. Новая память имеет 64-разрядную шину, то есть пропускная способность новинки составляет более 34 Гбайт/с. Планшеты, оснащённые этим модулем, смогут легко работать с виртуальными машинами, воспроизводить высококачественное видео, а также выполнять другие ресурсоёмкие задачи, характерные для ПК премиум-класса.

Благодаря усовершенствованному техпроцессу, новинка потребляет примерно столько же мощности, сколько и 4-Гбайт чипы на базе техпроцесса 20-нм класса. Габариты корпуса памяти составляют всего 15 × 15 × 1,0 мм, что позволяет интегрировать модуль в самые тонкие устройства. Предусмотрена также интеграция модуля с UFS-памятью или мобильными процессорами приложений.

Производитель не уточнил, когда новинка будет доступна разработчикам устройств.

Комментирование и размещение ссылок запрещено.

Обсуждение закрыто.